Поиск :
- Новые поступления
- Поиск
- Поиск одной строкой
- Помощь
- Книги 2020
- Книги 2021
- Книги 2022
- Книги 2023
- Ретрофонд
- Статьи из информационных обзоров за 2023
- Статьи из информационных обзоров за 2024
- Авторы
- Издательства
- Серии
- Ключевые слова
- Дерево рубрик
- Статистика поисков
- Статистика справок
Разделы фонда
Справочники
Личный кабинет :
Электронный каталог: Туркин, А. - Гетероструктуры на основе GaN в СВЧ-электронике: обзор работ
Туркин, А. - Гетероструктуры на основе GaN в СВЧ-электронике: обзор работ
Нет экз.
Статья
Автор: Туркин, А.
Электроника: наука, технология, бизнес: Гетероструктуры на основе GaN в СВЧ-электронике: обзор работ
2018 г.
ISBN отсутствует
Автор: Туркин, А.
Электроника: наука, технология, бизнес: Гетероструктуры на основе GaN в СВЧ-электронике: обзор работ
2018 г.
ISBN отсутствует
Статья
Туркин, А.
Гетероструктуры на основе GaN в СВЧ-электронике: обзор работ / Туркин А. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2018. – №6. – С.70-73. - 516979. – На рус. яз.
Полупроводниковые приборы на основе нитридов элементов III группы Периодической системы, находящие всё более широкое применение в электронике. Физические свойства гетероструктуры на базе нитрида галлия (GaN) и его твёрдых растворов, обеспечивающие приборам на их основе оптические, мощностные и частотные характеристики, позволяющие использовать их в разных областях. Наиболее перспективные из них - оптоэлектроника, силовая электроника и сверхвысокочастотная (СВЧ) электроника. Обзор работ российских авторов по применению GaN-гетероструктур и приборов на их основе в СВЧ-электронике.
Ключевые слова = ГЕТЕРОГЕННОСТЬ
Ключевые слова = МАТЕРИАЛ
Ключевые слова = МАШИНОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ПЕРЕДОВЫЕ ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ (ТЕХНЕТ)
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ХИМИЧЕСКИЕ ВЕЩЕСТВА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = ЭЛЕМЕНТ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Туркин, А.
Гетероструктуры на основе GaN в СВЧ-электронике: обзор работ / Туркин А. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2018. – №6. – С.70-73. - 516979. – На рус. яз.
Полупроводниковые приборы на основе нитридов элементов III группы Периодической системы, находящие всё более широкое применение в электронике. Физические свойства гетероструктуры на базе нитрида галлия (GaN) и его твёрдых растворов, обеспечивающие приборам на их основе оптические, мощностные и частотные характеристики, позволяющие использовать их в разных областях. Наиболее перспективные из них - оптоэлектроника, силовая электроника и сверхвысокочастотная (СВЧ) электроника. Обзор работ российских авторов по применению GaN-гетероструктур и приборов на их основе в СВЧ-электронике.
Ключевые слова = ГЕТЕРОГЕННОСТЬ
Ключевые слова = МАТЕРИАЛ
Ключевые слова = МАШИНОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ПЕРЕДОВЫЕ ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ (ТЕХНЕТ)
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ХИМИЧЕСКИЕ ВЕЩЕСТВА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = ЭЛЕМЕНТ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ