Поиск :
- Новые поступления
- Поиск
- Поиск одной строкой
- Помощь
- Книги 2020
- Книги 2021
- Книги 2022
- Книги 2023
- Ретрофонд
- Статьи из информационных обзоров за 2023
- Статьи из информационных обзоров за 2024
- Авторы
- Издательства
- Серии
- Ключевые слова
- Дерево рубрик
- Статистика поисков
- Статистика справок
Разделы фонда
Справочники
Личный кабинет :
Электронный каталог: Верхулевский, К. - Новые возможности с транзисторами на основе GaN компании Microsemi
Верхулевский, К. - Новые возможности с транзисторами на основе GaN компании Microsemi
Нет экз.
Статья
Автор: Верхулевский, К.
Компоненты и технологии: Новые возможности с транзисторами на основе GaN компании Microsemi
2012 г.
ISBN отсутствует
Автор: Верхулевский, К.
Компоненты и технологии: Новые возможности с транзисторами на основе GaN компании Microsemi
2012 г.
ISBN отсутствует
Статья
Верхулевский, К.
Новые возможности с транзисторами на основе GaN компании Microsemi / Верхулевский К. // Компоненты и технологии. – 2012. – 2012 №9. – С.161-164. - 125464. – На рус. яз.
Обзор перспективных разработок компании Microsemi в области высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Преимущества использования GaN-технологии изготовления транзисторов, надежность изделий на их основе. Сравнение свойств полупроводниковых материалов. Диапазоны работы радарных комплексов и характеристики доступных транзисторов компании Microsemi. Планы производства GaN-транзисторов Microsemi.
Ключевые слова = ВЫСОКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = КОМПАНИЯ
Ключевые слова = МАТЕРИАЛ
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = НАДЕЖНОСТЬ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = ПРОИЗВОДСТВО
Ключевые слова = РАДИОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ТЕХНИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИННОВАЦИИ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Верхулевский, К.
Новые возможности с транзисторами на основе GaN компании Microsemi / Верхулевский К. // Компоненты и технологии. – 2012. – 2012 №9. – С.161-164. - 125464. – На рус. яз.
Обзор перспективных разработок компании Microsemi в области высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Преимущества использования GaN-технологии изготовления транзисторов, надежность изделий на их основе. Сравнение свойств полупроводниковых материалов. Диапазоны работы радарных комплексов и характеристики доступных транзисторов компании Microsemi. Планы производства GaN-транзисторов Microsemi.
Ключевые слова = ВЫСОКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = КОМПАНИЯ
Ключевые слова = МАТЕРИАЛ
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = НАДЕЖНОСТЬ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = ПРОИЗВОДСТВО
Ключевые слова = РАДИОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ТЕХНИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИННОВАЦИИ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ