Электронный каталог

Статья

Терентьева, Ю.В.
Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем арсенида-антимонида галлия / Ю.В. Терентьева, С.А. Безносюк // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. – 2024. – Т. 21 №1. – С. 59-67: ил. - Библиогр.: 20 назв.

Результаты компьютерного моделирования алмазоподобных полупроводниковых наночастиц, построенных на базе арсенида галлия и на базе антимонида галлия. Исследованы модели наночастиц размером 3´3´3 элементарные ячейки и размером 5´5´5 элементарных ячеек с различным содержанием атомов сурьмы в подрешетке BV. Методом нелокального орбитально-оболочечного функционала плотности были получены равновесные параметры связей пар атомов, входящих в состав кристаллической структуры исследуемых наноэлектромеханических систем (НЭМС). Методами молекулярной механики изучена зависимость энергии наночастиц антимонида – арсенида галлия от размера наночастицы и содержания сурьмы в ее составе. Было показано незначительное изменение межатомного расстояния в полупроводниковых системах с алмазоподобной структурой и в НЭМС состоянии. Показано, что при введении атомов сурьмы в систему арсенида галлия система стабилизируется, а при введении атомов мышьяка в систему антимонида галлия система дестабилизируется.





Ключевые слова РП = компьютерное моделирование
Ключевые слова РП = арсенид галлия
Ключевые слова РП = антимонид галлия
Ключевые слова РП = полупроводник алмазоподобный
Ключевые слова РП = метод молекулярной механики
Ключевые слова = МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ