Поиск :
- Новые поступления
- Поиск
- Поиск одной строкой
- Помощь
- Книги по отраслям
- Книги 2022
- Книги 2023
- Книги 2024
- Ретрофонд
- Статьи из информационных обзоров за 2023
- Статьи из информационных обзоров за 2024
- Авторы
- Издательства
- Серии
- Ключевые слова
- Дерево рубрик
- Статистика поисков
- Статистика справок
Разделы фонда
Справочники
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гречихин, Л.И. - Толстостенное покрытие в диоде Ганна для измерения мощности электромагнитного излучения СВЧ-диапа...
Гречихин, Л.И. - Толстостенное покрытие в диоде Ганна для измерения мощности электромагнитного излучения СВЧ-диапа...
Нет экз.
Статья
Автор: Гречихин, Л.И.
Упрочняющие технологии и покрытия: Толстостенное покрытие в диоде Ганна для измерения мощности электромагнитного излучения СВЧ-диапа...
2023 г.
ISBN отсутствует
Автор: Гречихин, Л.И.
Упрочняющие технологии и покрытия: Толстостенное покрытие в диоде Ганна для измерения мощности электромагнитного излучения СВЧ-диапа...
2023 г.
ISBN отсутствует
Статья
Гречихин, Л.И.
Толстостенное покрытие в диоде Ганна для измерения мощности электромагнитного излучения СВЧ-диапазона / Л.И. Гречихин, Д.Ю. Олейник // Упрочняющие технологии и покрытия. – 2023. – Т.19 № 8. – С. 339-348: граф., табл., ил. - Библиогр.: 14 назв.
Анализ физических основ работы полупроводникового диода Ганна и сформулированы задачи, которые необходимо решить в обоснование физических принципов работы такого диода. При подаваемых напряжениях на диод Ганна до 0,6 В, работающего на арсениде галлия или фосфиде индия, в зоне проводимости алюминия появляются свободные электроны вследствие ионизации отрицательных ионов атомов галлия или индия. Максимальная мощность излучения в СВЧ-диапазоне длин волн, измеряемая диодом Ганна, определяется равенством энергии возмущения электромагнитной волной и энергии сродства к электрону атомов галлия или индия вблизи зоны проводимости алюминия.
Гречихин, Л.И.
Толстостенное покрытие в диоде Ганна для измерения мощности электромагнитного излучения СВЧ-диапазона / Л.И. Гречихин, Д.Ю. Олейник // Упрочняющие технологии и покрытия. – 2023. – Т.19 № 8. – С. 339-348: граф., табл., ил. - Библиогр.: 14 назв.
Анализ физических основ работы полупроводникового диода Ганна и сформулированы задачи, которые необходимо решить в обоснование физических принципов работы такого диода. При подаваемых напряжениях на диод Ганна до 0,6 В, работающего на арсениде галлия или фосфиде индия, в зоне проводимости алюминия появляются свободные электроны вследствие ионизации отрицательных ионов атомов галлия или индия. Максимальная мощность излучения в СВЧ-диапазоне длин волн, измеряемая диодом Ганна, определяется равенством энергии возмущения электромагнитной волной и энергии сродства к электрону атомов галлия или индия вблизи зоны проводимости алюминия.