Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гордеев, А. - Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху?
Гордеев, А. - Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху?
Нет экз.
Статья
Автор: Гордеев, А.
Современная электроника (электронная версия): Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху?
2021 г.
ISBN отсутствует
Автор: Гордеев, А.
Современная электроника (электронная версия): Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху?
2021 г.
ISBN отсутствует
Статья
Гордеев, А.
Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху? / Гордеев А. // Современная электроника (электронная версия) . – 2021. – №5. – С.64-67. - См. статьи PDF. – 564583. – На рус. яз.
Утверждение Минпромторгом в 2015 году "Плана мероприятий по импортозамещению в радиоэлектронной промышленности Российской Федерации". Показатели программы импортозамещения, предусматривавшие, в частности, резкое увеличение доли отечественных продуктов ЭКБ на внутреннем и внешнем рынках, достижение в 2018 году технологического проектного уровня 28 нм в цифровых системах, сокращение отставания от ведущих фирм мира, таких как TSMC, Samsung, Intel, IBM, до 5-8 лет. На решение этих задач были выделены огромные ресурсы. Однако в декабре 2019 года на конференции "Электроника в России: будущее отрасли" вице-премьер Ю.И. Борисов заявил, что "Сегодня просто глупо говорить, что в России существует серьёзное серийное микроэлектронное производство. Мы даже не присутствуем в мировой статистике". Подлинная, не рекламно-мифическая (до 100 нм) наноэлектроника с проектными нормами 0,1-10 нм требует огромных финансовых вложений. Для того чтобы приблизиться к технологическому уровню TSMC или IBM, необходимо вкладывать во флагманские зеленоградские площадки до $30 млрд. ежегодно. Таких средств у государства нет. В таком случае необходимо искать другие резервы. Вопросы конкурентоспособности отечественной микроэлектронной промышленности. Примеры перспективных отечественных разработок в области материалов для терагерцовой электроники. У России есть абсолютно всё: интеллектуальный потенциал, физика, материалы, технология, чтобы сделать к 2030 году подарок земной цивилизации в виде 7G и далее 8G, 9G.
Ключевые слова = ИМПОРТОЗАМЕЩЕНИЕ
Ключевые слова = ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
Ключевые слова = ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ
Ключевые слова = КОНКУРЕНТНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ
Ключевые слова = КОНКУРЕНТОСПОСОБНОСТЬ (339)
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = МИНПРОМТОРГ РОССИИ
Ключевые слова = НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
Ключевые слова = НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПОЛИТИКА
Ключевые слова = ПРОМЫШЛЕННАЯ ПОЛИТИКА
Ключевые слова = РАДИОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = РОССИЯ
Ключевые слова = ЦИФРОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ЭКОНОМИКА ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ТРАНСПОРТА И СВЯЗИ
Новые поступления и ретрофонд = Статьи из периодических изданий. 2021 год.
Гордеев, А.
Как завоевать мировой рынок электроники в посткремниевую эпоху? / Гордеев А. // Современная электроника (электронная версия) . – 2021. – №5. – С.64-67. - См. статьи PDF. – 564583. – На рус. яз.
Утверждение Минпромторгом в 2015 году "Плана мероприятий по импортозамещению в радиоэлектронной промышленности Российской Федерации". Показатели программы импортозамещения, предусматривавшие, в частности, резкое увеличение доли отечественных продуктов ЭКБ на внутреннем и внешнем рынках, достижение в 2018 году технологического проектного уровня 28 нм в цифровых системах, сокращение отставания от ведущих фирм мира, таких как TSMC, Samsung, Intel, IBM, до 5-8 лет. На решение этих задач были выделены огромные ресурсы. Однако в декабре 2019 года на конференции "Электроника в России: будущее отрасли" вице-премьер Ю.И. Борисов заявил, что "Сегодня просто глупо говорить, что в России существует серьёзное серийное микроэлектронное производство. Мы даже не присутствуем в мировой статистике". Подлинная, не рекламно-мифическая (до 100 нм) наноэлектроника с проектными нормами 0,1-10 нм требует огромных финансовых вложений. Для того чтобы приблизиться к технологическому уровню TSMC или IBM, необходимо вкладывать во флагманские зеленоградские площадки до $30 млрд. ежегодно. Таких средств у государства нет. В таком случае необходимо искать другие резервы. Вопросы конкурентоспособности отечественной микроэлектронной промышленности. Примеры перспективных отечественных разработок в области материалов для терагерцовой электроники. У России есть абсолютно всё: интеллектуальный потенциал, физика, материалы, технология, чтобы сделать к 2030 году подарок земной цивилизации в виде 7G и далее 8G, 9G.
Ключевые слова = ИМПОРТОЗАМЕЩЕНИЕ
Ключевые слова = ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
Ключевые слова = ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ
Ключевые слова = КОНКУРЕНТНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ
Ключевые слова = КОНКУРЕНТОСПОСОБНОСТЬ (339)
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = МИНПРОМТОРГ РОССИИ
Ключевые слова = НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
Ключевые слова = НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПОЛИТИКА
Ключевые слова = ПРОМЫШЛЕННАЯ ПОЛИТИКА
Ключевые слова = РАДИОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = РОССИЯ
Ключевые слова = ЦИФРОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ЭКОНОМИКА ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ТРАНСПОРТА И СВЯЗИ
Новые поступления и ретрофонд = Статьи из периодических изданий. 2021 год.