Электронный каталог

Статья

Юдинцев, В.
Трёхмерная кремниевая технология. Что, где, когда? Ч. 1 / Юдинцев В. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2011. – 2011 №4. – С.70-75. - 115107. – На рус. яз.

Динамика развития кремниевой технологии, 1995-2035 гг. Освоение кремниевой технологией сегодня изготовление микросхем с минимальными размерами элементов в диапазоне нанометров, вызывающее беспокойство о возможности сохранения существующих темпов развития полупроводниковой промышленности. Это обусловлено не только достижением пределов масштабирования планарных (двухмерных, 2D) транзисторов, но и постоянно возрастающей сложностью формирования наноразмерных структур и в результате ростом стоимости производства. Преимущества 3D-интеграции перед современной планарной (2D) технологией. Методы трёхмерной интеграции: интеграция кристаллов; формирование 3D-транзисторных структур на кристалле; формирование 3D-структур на пластине в ходе конечных операций обработки. Достоинства и недостатки основных методов 3D-интеграции.


Ключевые слова = ЕВРОПА
Ключевые слова = ЗАРУБЕЖНЫЕ СТРАНЫ
Ключевые слова = КРЕМНИЙ
Ключевые слова = МИКРОСХЕМА
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = НАНОТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ