Электронный каталог

Статья

Верхулевский, К.
Новые возможности с транзисторами на основе GaN компании Microsemi / Верхулевский К. // Компоненты и технологии. – 2012. – №9. – С.161-164. - 125464. – На рус. яз.

Обзор перспективных разработок компании Microsemi в области высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Преимущества использования GaN-технологии изготовления транзисторов, надежность изделий на их основе. Сравнение свойств полупроводниковых материалов. Диапазоны работы радарных комплексов и характеристики доступных транзисторов компании Microsemi. Планы производства GaN-транзисторов Microsemi.


Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = РАДИОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ВЫСОКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Ключевые слова = ТЕХНИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА
Ключевые слова = МАТЕРИАЛ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Ключевые слова = ПРОИЗВОДСТВО
Ключевые слова = КОМПАНИЯ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ИННОВАЦИИ
Ключевые слова = НАДЕЖНОСТЬ
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА