Электронный каталог

Статья

Сафиуллина, Г.
Обзор новый MOSFET и IGBT компании ON Semiconductor / Сафиуллина Г., Калачев А. // Компоненты и технологии. – 2013. – 2013 №8. – С.118-120. - См. текст. файл. – 251862. – На рус. яз.

Роль в современной силовой электронике импульсных преобразователей энергии - корректоров коэффициента мощности, преобразователей напряжения, инверторов, драйверов электродвигателей и т.п. Силовой транзистор как ключевой элемент импульсной схемы. Основные типы транзисторов, применяющихся в полупроводниковой силовой электронике: полевые транзисторы с изолированным затвором (МОП-транзисторы, или MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Преимущество транзисторов с изолированным затвором. Система обозначений IGBT-транзисторов. Основные параметры популярных серий IGBT ON Semiconductor. Новинки р-канальных и п-канальных MOSFET ON Semiconductor.


Ключевые слова = ИНВЕРСИЯ
Ключевые слова = МОЩНОСТЬ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ЭНЕРГЕТИКА
Ключевые слова = ЭФФЕКТИВНОСТЬ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ