Электронный каталог

Статья

Нитридные приборы миллиметрового диапазона // Наноиндустрия. – 2014. – 2014 №3. – С.40-51. - 294290. – На рус. яз.

Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах, показывающий, что достигнутый в Институте сверхчастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ) РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Развитие технологии нитридных приборов мм-диапазона за рубежом: основные направления развития работ в 2005-2012 гг. и планы на перспективу. Параметры отечественных гетероструктур и транзисторов с оптимальной длиной затворов на их основе (расчет). Состояние разработок СВЧ- и КВЧ-МИС на арсенидных и нитридных гетероструктурах в ИСВЧПЭ РАН.


Ключевые слова = АНАЛИЗ ОТРАСЛЕВОЙ
Ключевые слова = НАНОИНДУСТРИЯ
Ключевые слова = НАНОТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = РОССИЯ
Ключевые слова = СТАТИСТИКА
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ