Электронный каталог

Статья

Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения // Успехи современной радиоэлектроники. – 2014. – 2014 №9. – С.53-56. - 297189. – На рус. яз.

Освещение вопросов, связанных с производством перспективных светодиодных светильников. Современные тенденций производства гетероэпитаксиальных структур для твердотельного освещения общего назначения. Основные методы подготовки поверхности кремниевой пластины для эпитаксиального выращивания слоев InGaN/GaN. Предложение различных подходов к формированию буферных слоев GaN высокого качества.


Ключевые слова = НАНОТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = ОСВЕЩЕНИЕ
Ключевые слова = ПРЕДЛОЖЕНИЕ
Ключевые слова = ПРОИЗВОДСТВО
Ключевые слова = РОССИЯ
Ключевые слова = СВЕТОДИОД
Ключевые слова = СВЕТОТЕХНИКА
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ