Электронный каталог

Статья

НИИЭТ выводит на рынок две модели GaN транзисторов: [электронный документ] // CNews. – 2026. – №4. – 14 июля. - 653882. – На рус. яз.

Анонсирование Воронежским Научно-исследовательским институтом электронной техники (НИИЭТ, входит в группу компаний "Элемент") выпуска новых мощных СВЧ транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры, ориентированных на работу в условиях жестких температурных и эксплуатационных режимов. Новые транзисторы ТНГ 131005 28 и ТНГ 60005 28П, не имеющие по совокупности технических параметров аналогов на российском рынке, рассчитанные на напряжение питания 28 В, обеспечивая выходную мощность более 10 Вт. Основная задача при проектировании транзистора ТНГ 60005 28П - а уменьшить габаритные размеры и обеспечить возможность групповой сборки печатных плат на линиях поверхностного монтажа при сохранении эксплуатационных характеристик на рабочих частотах до 6 - 8 Гц. Преимущество обеих разработок - значительный запас по напряжению - до 130 В, делающее их особенно востребованными в ключевых узлах передатчиков, радиолокационных станций, систем связи и радиоэлектронной борьбы. Развитие GaN направления в Группе компаний "Элемент", соответствующее стратегическим приоритетам отечественной электронной промышленности. Официальное признание технологии на основе нитрида галлия ключевой в рамках Стратегии развития электронной промышленности России до 2030 г., работа НИИЭТ в этом сегменте - один из практических примеров реализации обозначенных целей.


Ключевые слова = НОВИКОВА Н.П.
Ключевые слова = ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА
Ключевые слова = ПРИОРИТЕЗАЦИЯ
Ключевые слова = ПРОЕКТИРОВАНИЕ
Ключевые слова = РАДИОЛОКАЦИОННАЯ СТАНЦИЯ
Ключевые слова = РАДИОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ БОРЬБА
Ключевые слова = РОССИЯ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
Ключевые слова = ТРАНСПОРТ И СВЯЗЬ