Поиск :
- Новые поступления
- Поиск
- Поиск одной строкой
- Помощь
- Книги по ТЯЖЕЛОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
- Книги 2022
- Книги 2023
- Книги 2024
- Ретрофонд
- Статьи из информационных обзоров за 2023
- Статьи из информационных обзоров за 2024
- Авторы
- Издательства
- Серии
- Ключевые слова
- Дерево рубрик
- Статистика поисков
- Статистика справок
Разделы фонда
Справочники
Личный кабинет :
Электронный каталог: Макушин, М. - Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития
Макушин, М. - Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития
Нет экз.
Статья
Автор: Макушин, М.
Электроника: наука, технология, бизнес: Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития
2020 г.
ISBN отсутствует
Автор: Макушин, М.
Электроника: наука, технология, бизнес: Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития
2020 г.
ISBN отсутствует
Статья
Макушин, М.
Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития / Макушин М. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2020. – №8. – С.46-58. - 551799. – На рус. яз.
Дальнейшее развитие силовой электроники, связанное с совершенствованием мощных полупроводниковых приборов. Практическое исчерпание возможностей традиционной кремниевой технологии, связь дальнейших перспектив с приборами на основе карбида кремния (SiС) и нитрида галлия (GaN). Перспективы развития SiС-приборов: оценка корпорации UnitedSiС. SiС FET-каскады позволяют формировать WBG-модули. Современное применение SiС FET. Основные характеристики SiС FET и тенденции их эволюции. Будущее SiС FET. Перспективы развития GaN-приборов: точка зрения корпорации ЕРС. За пределы дискретных силовых каскадов. Продолжение эволюции GaN мощных компонентов. Динамика и прогноз технологии встраиваемых GaN-приборов от дискретных до полностью интегрированных решений. Вертикальные GaN-приборы корпорации NexGen Power Systems - следующее поколение силовой электроники. Преимущества гомоэпитаксиально выращенной структуры. Обзор рынка мощных GaN- и SiС-приборов. Мощные SiС-приборы. Общая ситуация в области SiС мощных полупроводниковых приборов. Долгосрочный прогноз развития рынка мощных SiС-приборов, 2000-2030 гг. Прогноз структуры продаж мощных SiС-приборов по конечному потреблению, 2019-2024 гг. Факты, свидетельствующие о развитии услуг кремниевых заводов на рынке SiC-приборов. Мир SiC IDM. Модель fabless-foundry. Прогноз структуры рынка мощных GaN-приборов, 2018-2025 гг. Долгосрочная эволюция рынка мощных GaN-приборов.
Ключевые слова = БИЗНЕС-МОДЕЛЬ
Ключевые слова = ЗАРУБЕЖНЫЕ СТРАНЫ
Ключевые слова = ИНОСТРАННАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ (КОМПАНИЯ)
Ключевые слова = КРЕМНИЙ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ПОТРЕБЛЕНИЕ
Ключевые слова = ПРЕДПРИЯТИЕ
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = ПРОГНОЗ
Ключевые слова = РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = РОССИЯ
Ключевые слова = РЫНОК
Ключевые слова = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭВОЛЮЦИЯ
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Макушин, М.
Мощные SiС- и GaN-приборы: перспективы развития / Макушин М. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2020. – №8. – С.46-58. - 551799. – На рус. яз.
Дальнейшее развитие силовой электроники, связанное с совершенствованием мощных полупроводниковых приборов. Практическое исчерпание возможностей традиционной кремниевой технологии, связь дальнейших перспектив с приборами на основе карбида кремния (SiС) и нитрида галлия (GaN). Перспективы развития SiС-приборов: оценка корпорации UnitedSiС. SiС FET-каскады позволяют формировать WBG-модули. Современное применение SiС FET. Основные характеристики SiС FET и тенденции их эволюции. Будущее SiС FET. Перспективы развития GaN-приборов: точка зрения корпорации ЕРС. За пределы дискретных силовых каскадов. Продолжение эволюции GaN мощных компонентов. Динамика и прогноз технологии встраиваемых GaN-приборов от дискретных до полностью интегрированных решений. Вертикальные GaN-приборы корпорации NexGen Power Systems - следующее поколение силовой электроники. Преимущества гомоэпитаксиально выращенной структуры. Обзор рынка мощных GaN- и SiС-приборов. Мощные SiС-приборы. Общая ситуация в области SiС мощных полупроводниковых приборов. Долгосрочный прогноз развития рынка мощных SiС-приборов, 2000-2030 гг. Прогноз структуры продаж мощных SiС-приборов по конечному потреблению, 2019-2024 гг. Факты, свидетельствующие о развитии услуг кремниевых заводов на рынке SiC-приборов. Мир SiC IDM. Модель fabless-foundry. Прогноз структуры рынка мощных GaN-приборов, 2018-2025 гг. Долгосрочная эволюция рынка мощных GaN-приборов.
Ключевые слова = БИЗНЕС-МОДЕЛЬ
Ключевые слова = ЗАРУБЕЖНЫЕ СТРАНЫ
Ключевые слова = ИНОСТРАННАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ (КОМПАНИЯ)
Ключевые слова = КРЕМНИЙ
Ключевые слова = ПОЛУПРОВОДНИК
Ключевые слова = ПОТРЕБЛЕНИЕ
Ключевые слова = ПРЕДПРИЯТИЕ
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = ПРОГНОЗ
Ключевые слова = РАЗВИТИЕ
Ключевые слова = РОССИЯ
Ключевые слова = РЫНОК
Ключевые слова = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭВОЛЮЦИЯ
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА
Ключевые слова = ЭКОНОМИЧЕСКИЕ ПОКАЗАТЕЛИ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ