Электронный каталог

Статья

Лидоу, А.
Технология GaN быстро завоевывает новые рынки / Лидоу А., Стридлом Й., Рейш Д. // Компоненты и технологии. – 2014. – №9. – С.155-158. - 405609. – На рус. яз.

Элементы силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN), стремительно обретающие популярность, благодаря своей способности работать на частотах и скоростях переключения, значения которых лежат далеко за пределами возможностей силовых приборов на основе кремния. Рассмотрение семейства мощных полевых транзисторов на основе GaN с улучшенными характеристиками для применения в высокочастотных вольт-добавочных преобразователях, работающих в мультимегагерцевом диапазоне. Новые области применения технологии изготовления электронных приборов из GaN. Отслеживание огибающей. Беспроводная передача энергии. LiDAR. Повышенная радиация. Причины быстрого развития технологии GaN: замена кремниевых приборов с худшими характеристиками и вновь возникающие технические применения, которые становятся возможными из-за нового уровня электроники на основе GaN. Прогноз доходов компании IPC по областям применения её продукции на 2018 год.


Ключевые слова = БЕСПРОВОДНАЯ СЕТЬ
Ключевые слова = БЕСПРОВОДНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Ключевые слова = ВООРУЖЕНИЕ
Ключевые слова = ДОХОДЫ
Ключевые слова = КОСМОС
Ключевые слова = ОБОРУДОВАНИЕ
Ключевые слова = ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
Ключевые слова = ПРОГНОЗ
Ключевые слова = РАДИАЦИЯ
Ключевые слова = СВЕТОДИОД
Ключевые слова = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ЭКСПЛУАТАЦИЯ
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ЭЛЕКТРОПИТАНИЕ
Ключевые слова = ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА
Ключевые слова = ЭНЕРГИЯ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ