Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Майская, В. - Будущее транзисторных структур. Насколько справедлив закон Мура?
Майская, В. - Будущее транзисторных структур. Насколько справедлив закон Мура?
Нет экз.
Статья
Автор: Майская, В.
Электроника: наука, технология, бизнес: Будущее транзисторных структур. Насколько справедлив закон Мура?
2002 г.
ISBN отсутствует
Автор: Майская, В.
Электроника: наука, технология, бизнес: Будущее транзисторных структур. Насколько справедлив закон Мура?
2002 г.
ISBN отсутствует
Статья
Майская, В.
Будущее транзисторных структур. Насколько справедлив закон Мура? / Майская В. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2002. – №3. – С.64-67. - 43463. – На рус. яз.
Увеличение плотности потребляемой микропроцессором мощности. Разрабатываемые неклассические МОП-структуры и их характеристики: UTB КНИ-транзисторы; МОП-транзисторы с управляемой проводимостью канала и с двойным затвором; вертикальные МОП-транзисторы.
Ключевые слова = ИНФОРМАЦИОННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = МИКРОСХЕМА
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ
Майская, В.
Будущее транзисторных структур. Насколько справедлив закон Мура? / Майская В. // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2002. – №3. – С.64-67. - 43463. – На рус. яз.
Увеличение плотности потребляемой микропроцессором мощности. Разрабатываемые неклассические МОП-структуры и их характеристики: UTB КНИ-транзисторы; МОП-транзисторы с управляемой проводимостью канала и с двойным затвором; вертикальные МОП-транзисторы.
Ключевые слова = ИНФОРМАЦИОННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = МИКРОСХЕМА
Ключевые слова = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ