Электронный каталог

Статья

Туркин, А.
Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике / Туркин А. // Компоненты и технологии. – 2011. – 2011 №5. – С.176-180. - 111277. – На рус. яз.

Исторический обзор исследовательских работ по нитриду галлия (GaN), который является в настоящий момент основой для производства полупроводниковых источников света в коротковолновой - синей и зелёной - области спектра. Также GaN применяется при производстве белых светодиодов, на которых построены современные светотехнические устройства. Перспективы технологии выращивания гетероструктур на основе GaN.


Ключевые слова = КРЕМНИЙ
Ключевые слова = НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Ключевые слова = ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова = СВЕТОДИОД
Ключевые слова = ТЕХНОЛОГИЯ
Ключевые слова = ТЕХНИКА. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОТРАСЛЯХ ПРОМЫШЛЕННОСТИ